研究成果
代表性成果
发表文章
授权专利
发布时间：2023.06.28点击：
专利名称：复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H2传感器及其制备方法
发明人：梁喜双；张含；卢革宇梁喜双；尹成果；卢革宇；历建国；刁泉；张含；厉健峰；胡光斓
申请人：吉林大学
专利号：CN201310140721.8
专利类型：发明授权
授权日期：2014-09-03
上一条：复合金属氧化物为敏感电极的NASICON基H2S传感器
下一条：多孔NiMn2O4为敏感电极的YSZ 基混成电位型NO2传感器及制备方法
